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Hardware

Z-Angle Memory: Intel svela l’idea che vuole cambiare le memorie ad alta densità

Redazione Tech
Pubblicato il 11/02/2026
Intel

Intel ha portato in pubblico il primo prototipo di Z-Angle Memory durante l’evento Intel Connection Japan 2026, proponendo una soluzione che si differenzia in modo netto dai modelli di memoria oggi diffusi.

La collaborazione con SAIMEMORY, controllata da SoftBank, ha portato a un progetto che punta a una gestione più razionale dei flussi termici e a una capacità superiore a quella garantita dalle soluzioni HBM attuali. Il debutto avviene in una fase particolarmente intensa per l’industria AI e HPC, ambiti in cui ogni miglioramento nell’efficienza diventa un elemento determinante per i sistemi di calcolo di nuova generazione.

Un prototipo che supera la fase teorica

Intel ha presentato il primo esemplare fisico di Z-Angle Memory, dopo mesi in cui la tecnologia era rimasta confinata a documenti tecnici e comunicazioni interne. La presenza, sul palco, di figure di riferimento come Joshua Fryman e Makoto Onho ha certificato il passaggio da concetto preliminare a progetto concreto. La nuova configurazione è stata descritta come una possibile risposta ad alcune limitazioni che caratterizzano le HBM, memorie oggi centrali nelle piattaforme ad alte prestazioni.

La possibilità di osservare una struttura operativa reale, anziché un modello teorico, suggerisce un interesse più profondo verso un ritorno nel settore della memoria da parte di Intel, dopo anni di distanza dal mercato DRAM e dopo l’uscita dal comparto NAND Flash. Il prototipo mostrato in Giappone fornisce un primo punto di riferimento per valutare l’efficacia di una soluzione che punta a un utilizzo diverso delle interconnessioni nello stack.

Segnali e termica in una struttura sfalsata

Il tratto più distintivo del progetto riguarda la disposizione delle interconnessioni interne. A differenza delle configurazioni verticali delle soluzioni HBM tradizionali, Z-Angle Memory utilizza collegamenti in rame inclinati, distribuiti in modo diagonale attraverso i vari livelli di memoria. Questa scelta determina una geometria sfalsata che modifica il percorso dei segnali e consente una ripartizione più equilibrata del calore all’interno della struttura 3D.

Secondo quanto riferito da Intel, questa impostazione permetterebbe di controllare in modo più efficace i flussi energetici, migliorando la stabilità dello stack DRAM nelle situazioni in cui la densità elevata tende a generare carichi termici complessi.

Tra gli aspetti evidenziati emergono una possibile riduzione dei consumi nell’ordine del 40-50% e una semplificazione dei processi produttivi, resa possibile dall’assenza dei collegamenti verticali tipici delle memorie HBM. È stata citata inoltre una capacità massima teorica di 512 GB per singolo chip, un valore che posizionerebbe la tecnologia in maniera diretta rispetto alle soluzioni più avanzate presenti oggi.

Un mercato competitivo e un progetto ancora da verificare

L’interesse verso un’elettronica più efficiente mette le tecnologie di memoria al centro di una corsa che coinvolge datacenter, laboratori scientifici e sistemi governativi. Le soluzioni HBM vengono utilizzate soprattutto per calcolo AI e HPC, settori in cui la richiesta energetica cresce rapidamente. Per questo motivo, una tecnologia in grado di contenere i consumi potrebbe offrire vantaggi immediati in molte infrastrutture.

Al momento, Intel non ha comunicato informazioni su eventuali roadmap o tempistiche di commercializzazione. Il progetto Z-Angle Memory si colloca per ora in una fase preliminare, con un prototipo funzionante che mostra il potenziale, ma senza dati definitivi sulla produzione.

Resta da verificare se le indicazioni presentate troveranno riscontro in implementazioni destinate ai sistemi reali e se la tecnologia potrà competere con un ecosistema HBM ormai consolidato e fortemente integrato nelle GPU per accelerazione AI e nei sistemi HPC.

Per ora, Z-Angle Memory rappresenta una nuova direzione che riporta Intel a ragionare in modo diretto sul mercato della memoria, un settore da cui l’azienda mancava da decenni. L’interesse suscitato dal prototipo conferma la volontà di esplorare una configurazione alternativa, destinata a essere osservata con attenzione nei prossimi anni.

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